高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：windforce9811

【摘要】

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对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究.通过对不同k值的M

【作者】

：

陈卫兵徐静平邹晓李艳萍赵寄

【机构】

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华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

高K栅介质金属-氧化物-半导体场效应晶体管阈值电压亚阈斜率 high- kgate dielectrics MOSFET threshold volt

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对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究.通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑,得出选用k＜50且Tk/L≤0.2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能.

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