【摘 要】
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2006年1月6日,英飞凌科技股份有限公司和中国的半导体制造商中芯国际集成电路制造有限公司共同宣布,双方已经签署合作协议,进一步扩展在标准记忆芯片(DRAM)产品生产领域中的
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2006年1月6日,英飞凌科技股份有限公司和中国的半导体制造商中芯国际集成电路制造有限公司共同宣布,双方已经签署合作协议,进一步扩展在标准记忆芯片(DRAM)产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。根据新协议的内容,英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术
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