【摘 要】
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设计了一种新型无运放带隙基准源。该电路使用负反馈的方法,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压对基准源精度的影响,同时还提升了电源抑制比,且降
【机 构】
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上海交通大学电子与通信工程系,中国电子科技集团公司第32研究所
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设计了一种新型无运放带隙基准源。该电路使用负反馈的方法,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压对基准源精度的影响,同时还提升了电源抑制比,且降低了功耗。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。该设计基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺在Candence Specture环境下进行仿真,电源电压采用3.3 V,温度范围为-55~125℃,电源抑制比为82 d B,功耗仅有0.06 mW。
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