纳米Cu2O／TiO2异质结薄膜电极的制备和表征

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lanyinghit

【摘要】

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通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O，获得了p-Cu2O／n-TiO2异质结电极．研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响，制备出纯度较高、粒径为40-50nm的Cu2O薄膜．纳米Cu2O膜在200

【作者】

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唐一文陈志钢张丽莎贾志勇张新

【机构】

：

华中师范大学纳米科技研究院,复旦大学先进材料实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2006年2期

【关键词】

：

氧化亚铜薄膜二氧化钛膜异质结电极光电化学 cuprous oxide thin film TiO2 film heterojunction elect

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通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O，获得了p-Cu2O／n-TiO2异质结电极．研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响，制备出纯度较高、粒径为40-50nm的Cu2O薄膜．纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好，禁带宽度为2．06eV．光电化学测试表明纳米p-Cu2O／n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率．

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