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通过电子自旋共振实验、红外光谱和透射-反射谱等手段,系统地研究了CH4+SiH4和C2H2+SiH4两种不同气源制备的具有高氢含量的a-Si1-xCx∶H薄膜的微结构及其随退火温度的变化,用网络再构和化学键断裂竞争过程探讨了微结构随退火温度的变化规律.
两种不同气源制备的高氢含量a-Si1-xCx∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究
【摘 要】
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通过电子自旋共振实验、红外光谱和透射-反射谱等手段,系统地研究了CH4+SiH4和C2H2+SiH4两种不同气源制备的具有高氢含量的a-Si1-xCx∶H薄膜的微结构及其随退火温度的变化,用
【机 构】
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东北师范大学物理系理论物理所中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2001年4期
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