【摘 要】
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通过使用分子束外延(MBE)生长技术在PtSi/Si界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰(P+),可使PtSi肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。而且通过改变P+峰的掺杂浓度可将截止波长调节到所需的波
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通过使用分子束外延(MBE)生长技术在PtSi/Si界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰(P+),可使PtSi肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。而且通过改变P+峰的掺杂浓度可将截止波长调节到所需的波长范围。
By using molecular beam epitaxy (MBE) growth techniques to add a sufficiently thin, highly doped peak (P +) to the PtSi / Si interface, the cut-off wavelength of the PtSi Schottky infrared detector can be extended to the long-wave infrared range. The cut-off wavelength can be adjusted to the desired wavelength range by changing the doping concentration of the P + peak.
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