12千兆赫的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管电路模型

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给出了砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(MESFET)的一种新的等效电路(包括反馈元件的电阻损耗)。给出了几个1微米栅砷化镓MESFET的电路值。描述了使S_(12)符合于测量数据的一种方法。最后,由本模型直到24千兆赫外推出几个砷化镓MESFET的增益和稳定因子。 A new equivalent circuit of the gallium arsenide Schottky barrier field effect transistor (MESFET) is given (including the resistance loss of the feedback element). Several 1 micron gate gallium arsenide MESFET circuit values ​​are given. A method of fitting S_ (12) to the measurement data is described. Finally, gain and stabilization factors for several gallium arsenide MESFETs are deduced from this model up to 24 GHz.
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