【摘 要】
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利用高能离子注入与JFET注入结合的技术,设计了一款可以减小反向传输电容的P阱深结新型结构VDMOS器件。深结扩散提高了器件的击穿电压和稳定性,更短的栅极减小了形成反向传输
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利用高能离子注入与JFET注入结合的技术,设计了一款可以减小反向传输电容的P阱深结新型结构VDMOS器件。深结扩散提高了器件的击穿电压和稳定性,更短的栅极减小了形成反向传输电容的有效多晶硅栅长度,电容面积的减小从而降低了VDMOS的反向传输电容,同时优化JFET注入来解决由深结导致导通电阻增加的矛盾,采用A T H EN A和A T LA S工具对器件参数仿真优化。芯片流片测试结果表明这种新型结构能有效减小VDMOS的反向传输电容、提高开关速度和动态性能。
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