【摘 要】
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以硅基板镀制单层HfO2薄膜前后的表面微观形貌的变化为例子,开展了光学表面功率谱密度的计算及表征研究.使用原子力显微镜测量了硅基板镀膜前后在1μm×1μm,5 μm×5μm,10
【机 构】
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同济大学,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092;同济大学物理科学与工程学院,精密光学工程技术研究所,上海200092
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以硅基板镀制单层HfO2薄膜前后的表面微观形貌的变化为例子,开展了光学表面功率谱密度的计算及表征研究.使用原子力显微镜测量了硅基板镀膜前后在1μm×1μm,5 μm×5μm,10μm×10μm,20μm×20μm四种扫描尺寸下的表面轮廓,在此基础上使用MATLAB编程计算得到这四种扫描尺寸下的PSDISO,对这些PSDISO使用几何平均算法拼接得到具有足够大频率范围的PSDISO-Combined.结果显示,硅基板镀膜前后的PSDISO-combined在低频段基本相同,中高频段出现了明显差异.分析指出这是由镀膜后表面柱状晶体结构引起的.
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