【摘 要】
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ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法，将节５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上，基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析了研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极，不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容顺的小信号特性。研
【基金项目】
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“863”计划新材料领域资助项目
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ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法，将节５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上，基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析了研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极，不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容顺的小信号特性。研究发现，沉积在Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上的ＰＹＺＴ薄膜经８００℃快速热处理具有较接近理想外延ＰＹＺＴ薄膜结构，而且εｔ随着快速热处
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