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本文介绍了用激光投影系统汽化Cr板的技术。可在Cr板上汽化出3μm×3μm至8μm×8μm的矩形方孔，最细线宽1μm的线条，最小直径Ф1.5μm的园形孔。汽化质量已达到修正LSI掩模缺陷的使用要求。讨论了汽化质量与激光参数的关系。
大规模集成电路掩模缺陷激光修正技术
【摘 要】
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本文介绍了用激光投影系统汽化Cr板的技术。可在Cr板上汽化出3μm×3μm至8μm×8μm的矩形方孔，最细线宽1μm的线条，最小直径Ф1.5μm的园形孔。汽化质量已达到修正LS
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所
【出 处】
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激光杂志
【发表日期】
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1987年5期
【基金项目】
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致谢 林祥棣同志的指导.高培仁同志支援成光器元件.王明光,容宝琛同志鉴定样品.
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