非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭

• 作 者: 周亚训 陈培力 王晓东 白贵儒
• 机 构: 宁波大学物理系,宁波大学物理系宁波315211,宁波315211,宁波315211
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 1993年2期
• 关键词: 非晶硅碳薄膜 发光二极管 热致猝灭 a-SiC thin film light-emitting diode temperature-quenching t

本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm~2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm~2仍随电流近似线性增长,但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明,热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和,并简要提出了改进器件散热的措施.