电光晶体研究进展及其对称性研究

• 作 者: 王继扬 黄林勇 覃方丽 申传英 张怀金 尹鑫 张少军 赵显
• 机 构: 山东大学晶体材料国家重点实验室,中国科学院理化技术研究昕,中材人工晶体研究院,中国石油大学理学院物理系
• 出 处: 物理学进展
• 发表日期: 2012年1期
• 关键词: 电光效应 电光晶体:对称性 点群:交互效应 Electro-Optic （E-O） effect E-O crystal symmetry point grou
• 基金项目: 国家自然科学基金重点项目51032004和91022034的资助

由电场引起的晶体折射率的变化称为晶体的电光效应，具有电光效应的晶体称为电光晶体。利用电光效应可以制作电光Q开关等重要光电器件。晶体的电光效应及其有效利用，均与其对称性密切相关。本文在综述电光晶体研究进展的基础上，推导了不同晶系中各晶类电光效应类型及其特点，并以电光Q开关的要求为例讨论了晶体的电光效应及其对称性之间的关系。从讨论结果得出：立方晶系Td-713m，三方晶系C3v-3m，四方晶系D2d-712m，D4v-4ram和六方晶系D3h-6m2，C6v-6mm点群中相应电光系数的横向或纵向效应可能有实用