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,The effect of a Hf02 insulator on the improvement of breakdown voltage in field-plated GaN-based HE
【作 者】
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【机 构】
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Kye Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2011年9期
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