在Si衬底上生长高跨导p型Ge沟MODFET

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangfanyuanhang1020

【摘要】

：

在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ... Growth of high-transconductance p-type Ge ditch MODFETs on p-Si substrates = p-TypeGe-channelMODFET’swithhighransconductance

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

1994年04期

【关键词】

：

Si衬底跨导 MODFET Ge 栅长分子束外延生长调制掺杂霍耳迁移率缓冲层晶格失配

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