Co掺杂对Ba0．6Sr0．4Tio3薄膜介电性能的影响

• 作 者: 印志强 孙小华 陈章红 李美亚 赵兴中
• 机 构: 武汉大学物理学院纳米科技中心,绥化学院物理系
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2006年10期
• 关键词: BSTC薄膜 溶胶-凝胶 介电特性 调谐性 品质因子FOM BSTC thin films sol-gel dielectric properties t
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（6024003）

利用溶胶凝胶工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%（摩尔分数）的（Ba0.6Sr0.4）Ti1-xCoxO3薄膜。研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系。薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少，在摩尔含量10%时达到最小值0．0128。FOM值在摩尔含量为2．59，6达到最大值20，它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639．42、0．0218、43．6%。