【摘 要】
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研究利用超临界CO2萃取方法去除硅片上有机污染物的效果。通过用润滑油模拟有机污染物,对污染量、萃取压力、萃取温度做正交实验,分析去除率;对萃取前后的硅片做电镜扫描实验
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研究利用超临界CO2萃取方法去除硅片上有机污染物的效果。通过用润滑油模拟有机污染物,对污染量、萃取压力、萃取温度做正交实验,分析去除率;对萃取前后的硅片做电镜扫描实验、X射线光电子谱扫描实验,分析硅片型貌和电子结构变化。实验结果表明,去除率随着压力和温度的升高而升高,但温度的影响程度小于压力;去除效果随着污染量的增加而略有降低,但去除率均在92%以上;电镜扫描图片显示,萃取前后硅片型貌没有发生变化;X射线光电子谱扫描图显示,除了碳污染水平不同,萃取前后的硅片表面电子结构基本相同。
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