工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计

• 作 者: 魏全 傅兴华 王元发
• 机 构: 贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
• 出 处: 贵州大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2012年6期
• 关键词: 纯MOS管 自偏置共源共栅 基准电压源 亚阈区 温度系数 pure-MOS self - biased cascode reference voltage s

本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源，采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC（华润上华）0．5umBiCMOS工艺，在MOS工艺角sf、27℃，得到输出基准电压为1．520V，电路功耗仅200nA，在温度范围（-20℃～100℃）内的温度系数为31．33ppm／℃．