【摘 要】
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GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可用于大功率微波器件.最近几年,由于GaN蓝光二极管的成
【机 构】
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南京大学物理系江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，江苏省自然科学基金
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GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可用于大功率微波器件.最近几年,由于GaN蓝光二极管的成功研制,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题.简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性.用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到5～12 nm,长度达到几百个微米.纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构,其PL谱具有宽的发射峰,谱峰中心在420 nm.GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应
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