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针对数据转换器的应用，设计并实现了一种高速高性能锁相环电路。该锁相环采用Chartered 0．35μm CMOS工艺进行制作。测试结果显示，在3．3V工作电压下，电路在200MHz～1．2GHz频率下能可靠地工作。电路芯片面积为0．72mm^2，功耗为30mW。
一种基于0．35μm CMOS工艺的1．2GHz锁相环
【摘 要】
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针对数据转换器的应用，设计并实现了一种高速高性能锁相环电路。该锁相环采用Chartered 0．35μm CMOS工艺进行制作。测试结果显示，在3．3V工作电压下，电路在200MHz～1．2GHz频率下能可
【机 构】
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四川电力职业技术学院,成都电子机械高等专科学校
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2009年4期
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