Blue light emission from C~+ implanted SiO_2 films

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VISIBLE photoluminescence (PL) from nanostructured group Ⅳ semiconductors has attractedgreat attention, since visible PL at room temperature(RT) from porous silicon was discoveredby Canham in 1990. This makes it possible that the conventional planar technology of sili-con may be used in optoelectronics devices directly. Moreover, it is also an ideal object in VISIBLE photoluminescence (PL) from nanostructured group IV semiconductors has attracted large attention, since visible PL at room temperature (RT) from porous silicon was discovered by Canham in 1990. This makes it possible that the conventional planar technology of sili-con may be used in optoelectronics devices directly. Moreover, it is also an ideal object in
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