论文部分内容阅读
用射频溅射法将立方氮化硼（c-BN）薄膜沉积在p型Si(100)衬底上，薄膜的成分由倒塌城叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识，在其他条件不变的情况下，研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响，研究结果表明，工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数，要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜，必须要在合适的工作气压，工作气压等于或高于2.00Pa时，立方相不能形成；工作气压为0.67Pa时，得到了立方相体积分数为92％的立方氮化硼薄膜。