论文部分内容阅读
使用经典轨迹法研究了平行络合反应Si(^3Pg)+CO(X^1∑^+,V=0、1,J=0)→SiCO(X^3∑^-)或SiOC(X^3∑^-).该两个反应均无闲能,络合物寿命较长,一般在2.0×10^-12sec左右,有效络合反应能区较窄(初始相对碰撞平动能Et≤37.6560kJ.mol^-1).当CO(X^1∑^+)的V=0或1时,较高稳定性的SiCO(X^3∑^-)在低能区(Et〈12.5520kJ.mol^-1)均具有相对明显的优势,空间位阻因素起决定作用;在中能区(12.5520≤E≤