工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ufo0101
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采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPP CCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPP CCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50%,典型值为20~30pA/cm2。 The method of testing the low lifetime of silicon material was used to evaluate the influence of each process on the device dark current in MPP CCD fabrication process. Then the process of CCD was optimized, and the optimized process was applied to 1024 × 1024 visible MPP CCD Production process. The dark current of the device fabricated with the optimized process is reduced by 50% compared to the optimized process, with a typical value of 20-30 pA / cm2.
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