【摘 要】
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结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了
【机 构】
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中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京100083,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京100083,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心北京100083,中国科学院半导体研究
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结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了合理的定性解释 ,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件 .在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的 In Ga As垂直腔面发射激光器 .
In combination with the preparation of vertical cavity surface-emitting lasers, the relationship between the oxidation temperature, the flow rate of nitrogen gas, the water temperature and the lateral oxidation rate of the AlAs thin layer in Al As selective wet nitrogen oxidation process was studied in detail. , A reasonable qualitative explanation is given and the process conditions that can precisely control the oxidation process and its uniformity are obtained.The low threshold In Ga As vertical cavity surface emitting lasers are prepared by wet nitrogen oxidation under the optimized process conditions.
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