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用密度泛函理论方法对半导体二元微团簇GaxPy和GaxPy^-(x+y=8)的几何结构、电子态、能量等进行了计算,在B3LYP/6-311+G(2df)水平下完成结构优化和频率分析.讨论了电荷诱导结构发生变化情况,与中性团簇相比,在阴离子团簇中,Ga-P键较P-P键有利于形成.预测了未知Ga1P7^-、Ga2P6^-、Ga3P5^-、Ga6P2^-和Ga7P1^-化合物的最稳定结构存在的可能性,得出在GaxPy和GaxPy^-(x+y=8)中,Ga4P4和Ga4P4^-比较稳定.给出了两种能差即绝热电子亲