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制备了以LiBq4为发光层,结构为ITO/CuPc/TPD/LiBq4/Alq3/LiF/Al的器件.器件的电致发光(EL)光谱与LiBq4薄膜的光致发光(PL)光谱相同,峰值波长均为492nm.改变电子传输层Alq3的厚度时,器件的电流-电压特性及发光光谱随之发生变化,当电子传输层的厚度为5nm时,既可以避免电子传输层的发光,又可以降低器件的工作电压.