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用ＣＶＤ做了沉积温度对ＴｉＣ晶须生长影响的实验。在纯Ｎｉ基板上，用ＴｉＣｌ４－ＣＨ４－Ｈ２－Ａｒ混合气氛，１２２０￣１３７０Ｋ较低温度下获得高产率的ＴｉＣ晶须。在实际上做了ＴｉＣ晶须的形貌的检测，并确认了ＶＬＳ（汽－液－固）生长机制，按照ＶＬＳ机制讨论和说明了沉积温度对ＴｉＣ晶须生长的影响。找出了用镍基板生长ＴｉＣ晶须的合适温度范围。