【摘 要】
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在器件设计中考虑的主要因素包括:横向光耦合p-n-p-n器件的高耐压化问题;高发光效率的GaAs LED;光触发灵敏度以及p-n-p-n元件与LED的组合封装问题。横向p-n-p-n器件采用圆弧
【机 构】
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南京工学院电子工程系,南京工学院电子工程系
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在器件设计中考虑的主要因素包括:横向光耦合p-n-p-n器件的高耐压化问题;高发光效率的GaAs LED;光触发灵敏度以及p-n-p-n元件与LED的组合封装问题。横向p-n-p-n器件采用圆弧形的几何图形和透明场极板结构,这种透明场极板结构,不仅能
The main factors to be considered in the device design are: high withstand voltage of laterally optically coupled p-n-p-n devices; GaAs LEDs with high luminous efficiency; light-triggered sensitivity and combined packaging of p-n-p-n devices and LEDs. Horizontal p-n-p-n devices using circular arc geometry and transparent field plate structure, this transparent field plate structure, not only
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