【摘 要】
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研究了拓扑绝缘体薄膜表面态在铁磁/正常/铁磁结调制下的电子自旋相关输运.发现由于交换场与杂化带隙的竞争而产生量子相变,在结无门电压时电导行为类似于自旋阀,加门电压后
【机 构】
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湖南第一师范学院信息科学与工程学院,湖南师范大学物理与信息科学学院,
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研究了拓扑绝缘体薄膜表面态在铁磁/正常/铁磁结调制下的电子自旋相关输运.发现由于交换场与杂化带隙的竞争而产生量子相变,在结无门电压时电导行为类似于自旋阀,加门电压后为自旋场效应管.有趣的是,无门电压且交换场能是杂化带隙的两倍时出现一个电导平台,磁阻比率可达100%.
The spin-dependent transport of surface states of the topological insulator film under ferromagnet / normal / ferromagnetic junction modulation was investigated. The quantum phase transition was found due to the competition between the exchange field and the hybrid bandgap, The behavior is similar to a spin valve with a gate voltage followed by a spin FET.It is interesting to note that there is a conductance stage with no gate voltage and the exchange field can be twice the band gap of the hybrid with a magnetoresistance ratio of up to 100% .
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