高能重离子辐照制备SiOC复合材料的研究

• 作 者: 刘纯宝 赵志明 王志光 宋银 金运范 孙友梅 刘杰 姚存峰
• 机 构: 中国科学院近代物理研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 核技术
• 发表日期: 2007年4期
• 关键词: 重离子辐照 注入 SIOC Heavy ion irradiation Implantation SiOC
• 基金项目: 国家自然科学基金项目（10125522,10475102）和中科院‘西部之光’联合学者项目资助.致谢 感谢中国科学院近代物理研究所200kV离子注入机和兰州重离子加速器的全体工作人员的大力帮助,感谢IRASME（CIRIL-GANIL,法国）和UNILAC（GSI,德国）有关工作人员在Pb、U离子辐照方面给予的帮助.

用120 kev碳离子注入非晶SiO2薄膜,再用高能Xe、Pb和U离子辐照.注碳剂量范围为2.0×10^17-8.6×10^17 cm^-2,高能离子辐照剂量1.0×10^10-3.8×10^12 cm^-2.辐照后的样品用傅里叶变换红外光谱仪进行系统分析.实验结果显示,高能离子辐照在注碳非晶SiO2薄膜中形成了大量的Si-O-C键和Si-C键.这些Si-O-C结构具有环链、开链和笼链等多种结构形式.随电子能损、辐照剂量或者沉积能量密度的增加,SiOC结构由类笼向环