【摘 要】
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采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 西安710071,西安710071,西安
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采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 ,评估了高温退火后材料表面对器件的影响
4 H-Si C was annealed by ion implantation at 1620 ℃ for artificial corundum high temperature furnace tube.The experimental results showed that the surface of Si C reacts with the residual oxygen components under the action of the trace amount of aluminum precipitated on the corundum wall, Material Si OC, resulting in material surface roughness and reactive ion etching rate is very low.This sample and the normal sample were made of single-gate MESFET, ohm contact and I-V output characteristics of the comparison test to evaluate the high temperature annealing the surface of the material Impact on the device
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