【摘 要】
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以前报导过用较短的波长曝光能够增加投影光刻机的调制传递函数,因而能有效地提高光刻机的分辨率。本文在上述前提下就边缘锐度的问题发表一些看法。 F/3型投影光刻机经改进
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以前报导过用较短的波长曝光能够增加投影光刻机的调制传递函数,因而能有效地提高光刻机的分辨率。本文在上述前提下就边缘锐度的问题发表一些看法。 F/3型投影光刻机经改进后能在275nm～325nm范围内曝光,而且在标准工艺条件下,用重氮型(Shipley)光致抗蚀剂AZ-2400可曝出1μm的图形。硅衬底上有720nm厚的湿法生长氧化物。
It has previously been reported that using a shorter wavelength exposure can increase the modulation transfer function of the projection lithography machine, thus effectively increasing the resolution of the lithography machine. This article makes some comments on the issue of edge sharpness under the above premise. The F / 3 projection lithography unit has been modified to expose in the range of 275nm to 325nm, and a 1μm pattern can be exposed using standard Azimuthal Photoresist AZ-2400 under standard process conditions. 720nm thick wet grown oxide on silicon substrate.
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