光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性

• 作 者: 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧
• 机 构: 上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室 上海市 200030 ,上海市 200030 ,上海市 200030
• 出 处: 微电子学与计算机
• 发表日期: 1993年09期
• 关键词: 氮化硅薄膜 CVD 化学气相淀积 CMOS电路 表面钝化 钝化膜 应用研究 测试数据 七专 半导体器件

采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.

Photochemical vapor deposition (CVD) of silicon nitride film on the device surface passivation, the entire device to improve reliability.