SiO2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响

• 作 者: 喻志农 相龙锋 李玉琼 薛唯
• 机 构: 北京理工大学
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2009年3期
• 关键词: 离子辅助蒸发技术 ITO薄膜 二氧化硅缓冲层 ion beam assisted deposition ITO film SiO2 buffer layer
• 基金项目: 北京市自然科学基金（3063022）,北京理工大学优秀青年教师资助计划（059852）

利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜，重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外．可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明：增加缓冲层后，柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加：薄膜电阻率减小为1．21×10^-3Ω·cm；可见光峰值透过率为85％左右：表面相对光滑：薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。