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描述了单层掩膜表面的微机械加工工艺。该工艺用镍作为结构层材料，多晶硅作为牺牲层，用高长宽比光刻技术（厚达２０μｍ）制作电镀图形，在多晶硅上化学镀镍。用低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）工艺淀积厚度为１～５μｍ的多晶硅。化学镀之前对多晶硅进行短时腐蚀预处理可使多晶硅表面变成多孔状，为生成良好的镍粘附提供了适合的力学键合点。用ＫＯＨ腐蚀多晶硅牺牲层以便释放镍可动部分。采用该工艺已制出厚度为５～２０μｍ的静电镍微驱动器