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<正> 由于单晶碳化硅(SiC)的出现,目前已经获得使用可维持单晶外延层的特种类型的定向多晶体的碳化硅(SiC)。以前研究人员认为此项研究很难取得突破,但现在美国Sullivan&Co公司开发成功了一种新型的化学气相沉积(CVD)工艺技术,该技术在大气压下,没有多孔性或微型导管的情况下迅速淀积β相位(3C)多晶SiC。因此,这一研究已取得了空前的突破。