【摘 要】
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本文提出了一个关于 GaAs FET’s的新的分析模型。与传统的一维“肖克来模型”不同,这个模型从一个新的概念——“非线性可变沟道电阻”出发来分析器件的工作机理.它不仅考虑
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本文提出了一个关于 GaAs FET’s的新的分析模型。与传统的一维“肖克来模型”不同,这个模型从一个新的概念——“非线性可变沟道电阻”出发来分析器件的工作机理.它不仅考虑了砷化镓材料的具有一段负微分迁移率区域的速度场特性,而且考虑了一些实际影响器件性能的因素,如有效的衬底电阻、载流子浓度与迁移率乘积在有源层内的分布等.此外,它还利用了一些二维数值分析的结果.
This article presents a new analysis model for GaAs FET’s. Different from the traditional one-dimensional “Shock-to-Rock model,” the model analyzes the working mechanism of the device from a new concept, “nonlinear variable channel resistance.” It not only considers the phase of gallium arsenide Speed field characteristics of the region of negative differential mobility and factors that actually affect the performance of the device, such as the effective substrate resistance, the distribution of product of carrier concentration and mobility in the active layer, etc. Furthermore, it also exploits Some two-dimensional numerical analysis of the results.
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