【摘 要】
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采用射频等离子体化学增强型气相沉积法,以CF4和CH4为源气体,氩气为载气,在不同射频功率下制备了掺氟类金刚石(F-DLC)薄膜样品.用原子力显微镜观测了样品的表面形貌,用X射线
【机 构】
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桂林理工大学理学院 桂林541004
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采用射频等离子体化学增强型气相沉积法,以CF4和CH4为源气体,氩气为载气,在不同射频功率下制备了掺氟类金刚石(F-DLC)薄膜样品.用原子力显微镜观测了样品的表面形貌,用X射线光电能谱仪及拉曼光谱仪等表征方法对样品的键合结构进行了测试、分析.结果显示:薄膜表面致密均匀,射频功率增加,薄膜表面均方根粗糙度增大,膜内sp2杂化结构相对含量增加.样品的场发射性能测试显示:高射频功率下制备的F-DLC薄膜样品的场发射阈值低,场发射电流密度升高.其主要原因是:随着射频功率的增加,薄膜的表面粗糙度增大及薄膜的石墨化程度增加引起.
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