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【摘 要】
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本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所北京,北京
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年7期
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