【摘 要】
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在Si（111）衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延（HVPE）方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射（XRD）、光致发光谱（PL）、拉曼光谱（Raman）等技术
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（2006CB6049）, 国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2009AA03A198）, 国家自然科学基金资助项目（60721063 60820106003 60731160628）, 南京大学扬州光电研究院基金资助项目（2008008）
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在Si（111）衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延（HVPE）方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射（XRD）、光致发光谱（PL）、拉曼光谱（Raman）等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现。AlN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si（11
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