MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器

来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yayanorman

【摘要】

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用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个

【作者】

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吴根柱张子莹任大翠张兴德

【机构】

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长春光机学院中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,;

【出处】

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城市道桥与防洪

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

微碟激光器干法刻蚀光泵浦湿法刻蚀品质因数

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用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程．在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW,激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器激射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的．

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