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从非平衡载流子的扩散-复合理论出发,提出PIN多结探测器材料结构,并建立了理论模型进行定量计算,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾.利用该模型对GaInAsSb材料体系作了数值模拟,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2.4 μm波段的GaInAsSb PIN多结材料结构.