InGaAs红外探测器的γ辐照研究

• 作 者: 黄杨程 曹光明 刘大福 龚海梅
• 机 构: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2005年1期
• 关键词: INGAAS 红外探测器 Γ射线辐照 InGaAsinfrared detectorγirradiation

研究了γ射线辐照对 InGaAs红外探测器性能的影响.γ射线的辐照剂量分别为 10Mrad、 20Mrad、 30Mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量下的响应光谱、电流-电压特性、信号、噪声.通 过对实验结果的分析,发现器件的响应光谱和信号没有发生明显变化;暗电流和噪声随γ辐照剂 量增加而递增,表明探测器的性能随γ辐照剂量的增加而逐步衰减.