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目的探讨单次电针预处理能否诱导局灶性脑缺血耐受及其时程.方法48只健康雄性SD大鼠(280～320g),随机分为6组(n=8):对照组和电针1～5组(EA1～5).对照组未行任何预处理;电针1～5组分别在电针刺激百会穴30min后0.5、1、2、3和24h给予局灶性脑缺血.采用颈内动脉尼龙线线栓法致大脑中动脉栓塞(120 min)模型,观察再灌注后24 h时神经功能损害并取大脑行TTC染色以测量脑梗死容积.结果术后动物均存活.电针刺激百会穴30 min后2 h和24 h给予局灶性脑缺血,再灌注24 h时神经功能缺陷评分明显低于对照组(P＜0.05),脑梗死容积明显小于对照组(P＜0.01),其它时间点与对照组差异无显著性.结论单次电针刺激百会穴30min,可诱导双相大脑局灶性缺血耐受,即急性缺血耐受出现在预处理后2 h,延迟缺血耐受出现在预处理后24 h.