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阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。
用喇慢光谱研究关导体带隙和合金组分
【摘 要】
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阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(
【机 构】
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厦门大学物理学系,厦门大学化学系
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1989年5期
【基金项目】
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福建省自然科学基金
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