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研究了半导化元素和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对的半导化性能影响显著，它们的较珠含量（摩尔分数）分别在０．１－０．６％和０．２－０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω．ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。