【摘 要】
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由于引进极紫外线(EUV)光刻技术的迟滞,技术专家们开始利用现有光刻工具的替代性方案去完成32及22纳米工艺。例如,一个颇具前景的解决方案是将间距要求严苛的图形拆分到两个
【机 构】
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Applied Materials Santa Clara Calif. ,Mentor Graphics Wilsonville Ore.,
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由于引进极紫外线(EUV)光刻技术的迟滞,技术专家们开始利用现有光刻工具的替代性方案去完成32及22纳米工艺。例如,一个颇具前景的解决方案是将间距要求严苛的图形拆分到两个掩膜版,这样图形间距可以加倍。两次曝光,即两层掩膜版在同一光刻胶层上连续曝光,
Due to the sluggish introduction of extreme ultraviolet (EUV) lithography, technologists began to take advantage of the alternatives of existing lithography tools to accomplish 32- and 22-nm processes. For example, a promising solution is to split pitch-constrained graphics into two masks so that the graphics pitch can be doubled. Double exposure, that is, two layers of mask in a continuous exposure on the same photoresist layer,
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