【摘 要】
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在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,浙江海洋学院船舶与海洋工程学院,东北师范大学先进光电功能材料研究中心
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(2011CB302006,2011CB302002),国家自然科学基金(11134009,61376054,11174273,11104265,61177040)资助项目