【摘 要】
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2006年2月底台联电采用0.13μm RF CMOS工艺推出目前全球最高振荡频率的192GHz双推式压控振荡器。其芯片由美国佛罗里达大学甘斯威尔分校电机计算机工程系硅微波集成电路与系
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2006年2月底台联电采用0.13μm RF CMOS工艺推出目前全球最高振荡频率的192GHz双推式压控振荡器。其芯片由美国佛罗里达大学甘斯威尔分校电机计算机工程系硅微波集成电路与系统研究组设计。台联电曾于2005年6月推出105GHz压控振荡器。192GHz双推式VCO可产生更强讯号,输出功率为
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